温度電圧ストレス試験

半導体素子の初期特性を測り、温度ストレス、電圧ストレスをかけ、
再度特性測定し素子特性を試験。結果をCSV形式で保存

機能

半導体素子の初期特性を測り、温度ストレス、電圧ストレスをかけ、再度特性測定を行うことにより素子特性を試験するものです。
測定結果はエクセルファイル出力されます。(CSV形式)

  1. 測定機能

    以下の測定条件を個々に設定し、3試験の試験シーケンスを測定可能です。
    1) ゲート電圧(Vgs)-特性測定(Start,Stop,Step)
    2) ドレイン電圧(Vds)-ストレス電圧
    3) ゲート電圧(Vgs)-ストレス電圧
    4) ストレス時間
    5) ストレス温度
    6) 電流リミット(Compliance)
    7) 積分時間

  2. 測定データ項目

    ドレイン電圧(Vds)、ゲート電圧(Vgs)、ドレイン電流(Id)、ソース電流(Is)、ゲート電流(Ig)、温度

  3. 温度制御

    温度目標値送信により、温度コントロールを行います。
    温度モニタを行い、試験シーケンスを自動で切替制御します。

  4. グラフモニタ

    1) 特性測定データグラフ表示(Id-Vgs)
    2) ドレイン電流経過モニタグラフ表示(Id-time)

システム構成

システム構成図
開発分類
半導体関連計測
開発環境
Windows XP Professional
言語
VisualStudio 2005 VB

本事例の開発環境・言語のバージョンは開発当時のものです。新規ご依頼には、新しいバージョンにも対応しております。詳細はお問い合わせください。



採用情報

新たなる時代への挑戦

日本メカトロンは、産業技術総合試験研究所の次世代電池の共同研究を行っています。新たな時代をリードする最新技術に積極的に挑戦しています。

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